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SIS903DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIS903DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8 Dual

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

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Menge

Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen III
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Configuration	2 P-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8 Dual
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Base Product Number	SIS903
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)

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