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SIS890DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIS890DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

Menge:

Auf Lager : 4013 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.2825

$1.2825
10

$1.0488

$10.488
100

$0.81605

$81.605
500

$0.69169

$345.845
1000

$0.56346

$563.46

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Base Product Number	SIS890
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	802 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)

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