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SIS439DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIS439DNT-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8S

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Base Product Number	SIS439
Operating Temperature	-50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2135 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)

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