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SIS412DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIS412DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

Menge:

Auf Lager : 117762 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.5415

$0.5415
10

$0.475

$4.75
100

$0.36413

$36.413
500

$0.28785

$143.925
1000

$0.23028

$230.28

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SIS412
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	435 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)

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