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SIS176LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIS176LDN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

Menge:

Auf Lager : 19985 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.855

$0.855
10

$0.70015

$7.0015
100

$0.54425

$54.425
500

$0.4613

$230.65
1000

$0.37578

$375.78

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±12V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	70 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1660 pF @ 35 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.9A (Ta), 42.3A (Tc)

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