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SIS108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIS108DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK

Menge:

Auf Lager : 6000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.836

$0.836
10

$0.6821

$6.821
100

$0.53057

$53.057
500

$0.44969

$224.845
1000

$0.36632

$366.32

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIS108
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 24W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	545 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.7A (Ta), 16A (Tc)

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