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SIS106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIS106DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK

Menge:

Auf Lager : 6000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.9595

$0.9595
10

$0.7866

$7.866
100

$0.61218

$61.218
500

$0.51887

$259.435
1000

$0.42267

$422.67

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIS106
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 24W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	540 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.8A (Ta), 16A (Tc)

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