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SIRA60DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIRA60DP-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Menge:

Auf Lager : 5399 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.3585

$1.3585
10

$1.10865

$11.0865
100

$0.86241

$86.241
500

$0.73098

$365.49
1000

$0.59547

$595.47

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SIRA60
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	57W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7650 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)

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