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SIRA20BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIRA20BDP-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

Menge:

Auf Lager : 10895 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.501

$1.501
10

$1.23025

$12.3025
100

$0.95712

$95.712
500

$0.81126

$405.63
1000

$0.66085

$660.85

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+16V, -12V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Base Product Number	SIRA20
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	6.3W (Ta), 104W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9950 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)

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