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SIR626LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIR626LDP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK

Menge:

Auf Lager : 5343 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.6435

$1.6435
10

$1.36325

$13.6325
100

$1.08518

$108.518
500

$0.91823

$459.115
1000

$0.77911

$779.11

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SIR626
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5900 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	45.6A (Ta), 186A (Tc)

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