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SIR606BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIR606BDP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK

Menge:

Auf Lager : 4635 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.33

$1.33
10

$1.08775

$10.8775
100

$0.84626

$84.626
500

$0.71732

$358.66
1000

$0.58433

$584.33

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIR606
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 62.5W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1470 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.9A (Ta), 38.7A (Tc)

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