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SIR582DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIR582DP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

Menge:

Auf Lager : 2483 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.52

$1.52
10

$1.2616

$12.616
100

$1.00377

$100.377
500

$0.84937

$424.685
1000

$0.72068

$720.68

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen V
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)	5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3360 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28.9A (Ta), 116A (Tc)

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