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SIR410DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIR410DP-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Menge:

Auf Lager : 1812 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.9785

$0.9785
10

$0.8778

$8.778
100

$0.68409

$68.409
500

$0.56513

$282.565
1000

$0.44616

$446.16

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SIR410
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	4.2W (Ta), 36W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)

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