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SIR186DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIR186DP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Menge:

Auf Lager : 8113 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.1495

$1.1495
10

$0.9443

$9.443
100

$0.73444

$73.444
500

$0.62253

$311.265
1000

$0.50712

$507.12

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Base Product Number	SIR186
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 57W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1710 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 60A (Tc)

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