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SIR120DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIR120DP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK

Menge:

Auf Lager : 9454 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.558

$1.558
10

$1.29485

$12.9485
100

$1.03094

$103.094
500

$0.87232

$436.16
1000

$0.74015

$740.15

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Base Product Number	SIR120
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)	5.4W (Ta), 100W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4150 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24.7A (Ta), 106A (Tc)

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