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SIJH600E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIJH600E-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 8 x 8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Menge:

Auf Lager : 1704 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.833

$5.833
10

$5.0008

$50.008
100

$4.16755

$416.755
500

$3.67727

$1838.635
1000

$3.30955

$3309.55

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 8 x 8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.92mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.3W (Ta), 333W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 8 x 8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9950 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37A (Ta), 373A (Tc)

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