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SIJH112E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIJH112E-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 8 x 8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK

Menge:

Auf Lager : 3 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.199

$4.199
10

$3.52925

$35.2925
100

$2.85494

$285.494
500

$2.53767

$1268.835
1000

$2.17289

$2172.89

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIJH112
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.3W (Ta), 333W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 8 x 8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8050 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)

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