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SIHLR120-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHLR120-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

TO-252AA

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

Menge:

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Land

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±10V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Base Product Number	SIHLR120
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 42W (Tc)
Supplier Device Package	TO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.7A (Tc)

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