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SIHH11N65EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHH11N65EF-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 8 x 8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8

Menge:

Auf Lager : 18 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.161

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10

$3.48935

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIHH11
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	382mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max)	130W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 8 x 8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1243 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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