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SIHD6N80E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHD6N80E-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

TO-252AA

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK

Menge:

Auf Lager : 2062 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.9475

$1.9475
10

$1.615

$16.15
100

$1.28535

$128.535
500

$1.08763

$543.815
1000

$0.92284

$922.84
2000

$0.8767

$1753.4
5000

$0.84374

$4218.7
10000

$0.81581

$8158.1

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	E
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIHD6
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max)	78W (Tc)
Supplier Device Package	TO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	827 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.4A (Tc)

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