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SIHD180N60E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHD180N60E-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

D-Pak

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA

Menge:

Auf Lager : 2980 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.622

$2.622
10

$2.20115

$22.0115
100

$1.78068

$178.068
500

$1.58279

$791.395
1000

$1.35526

$1355.26
2000

$1.27612

$2552.24
5000

$1.22431

$6121.55

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	E
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Base Product Number	SIHD180
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Supplier Device Package	D-Pak
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1080 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	19A (Tc)

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