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SIHD14N60E-BE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHD14N60E-BE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

D-Pak

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA

Menge:

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Land

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	E
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIHD14
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max)	147W (Tc)
Supplier Device Package	D-Pak
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1205 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)

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