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SIHB35N60E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHB35N60E-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

D²PAK (TO-263)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 225 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.852

$5.852
10

$4.91055

$49.1055
100

$3.97233

$397.233
500

$3.53096

$1765.48
1000

$3.02338

$3023.38
2000

$2.84683

$5693.66

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIHB35
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2760 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	32A (Tc)

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