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SIHB33N60EF-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHB33N60EF-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

D²PAK (TO-263)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 1012 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.9375

$5.9375
10

$5.3637

$53.637
100

$4.44058

$444.058
500

$3.86678

$1933.39
1000

$3.36784

$3367.84
2000

$3.24311

$6486.22

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIHB33
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	278W (Tc)
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3454 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	33A (Tc)

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