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SIHB33N60E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHB33N60E-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

D²PAK (TO-263)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 374 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.643

$5.643
10

$5.0692

$50.692
100

$4.15368

$415.368
500

$3.53595

$1767.975
1000

$2.98212

$2982.12
2000

$2.83302

$5666.04

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIHB33
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	278W (Tc)
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3508 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	33A (Tc)

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