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SIHB24N65ET1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHB24N65ET1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

D²PAK (TO-263)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Menge:

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	E
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIHB24
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2740 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)

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