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SIHB11N80AE-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIHB11N80AE-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

D²PAK (TO-263)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 1003 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.995

$1.995
10

$1.65775

$16.5775
100

$1.31907

$131.907
500

$1.11613

$558.065
1000

$0.94702

$947.02
2000

$0.89967

$1799.34
5000

$0.86584

$4329.2
10000

$0.83718

$8371.8

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	E
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIHB11
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	78W (Tc)
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	804 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)

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