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SIE882DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIE882DF-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

10-PolarPAK® (L)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK

Menge:

Auf Lager : 2760 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.2895

$2.2895
10

$2.0596

$20.596
100

$1.65547

$165.547
500

$1.36009

$680.045
1000

$1.12692

$1126.92

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	10-PolarPAK® (L)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SIE882
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	5.2W (Ta), 125W (Tc)
Supplier Device Package	10-PolarPAK® (L)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6400 pF @ 12.5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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