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SIDR680DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIDR680DP-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK

Menge:

Auf Lager : 11840 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.641

$2.641
10

$2.18975

$21.8975
100

$1.74287

$174.287
500

$1.47472

$737.36
1000

$1.25128

$1251.28

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Base Product Number	SIDR680
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5150 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	32.8A (Ta), 100A (Tc)

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