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SIDR668DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIDR668DP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

Menge:

Auf Lager : 3000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.7075

$2.7075
10

$2.27525

$22.7525
100

$1.84072

$184.072
500

$1.63622

$818.11
1000

$1.40101

$1401.01

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5400 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23.2A (Ta), 95A (Tc)

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