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SIDR638DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIDR638DP-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC

Menge:

Auf Lager : 4725 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.9

$1.9
10

$1.577

$15.77
100

$1.25542

$125.542
500

$1.0623

$531.15
1000

$0.90135

$901.35

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Base Product Number	SIDR638
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10500 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)

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