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SIDR626LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIDR626LDP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK

Menge:

Auf Lager : 11811 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.774

$2.774
10

$2.30755

$23.0755
100

$1.83682

$183.682
500

$1.5542

$777.1
1000

$1.31871

$1318.71

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SIDR626
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5900 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	45.6A (Ta), 2.4A (Tc)

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