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SIDR626EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIDR626EP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

Menge:

Auf Lager : 6050 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.04

$3.04
10

$2.55265

$25.5265
100

$2.0653

$206.53
500

$1.83579

$917.895
1000

$1.57189

$1571.89

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	7.5W (Ta), 150W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5130 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50.8A (Ta), 227A (Tc)

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