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SIDR5802EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIDR5802EP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

Menge:

Auf Lager : 5902 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.622

$2.622
10

$2.1812

$21.812
100

$1.73631

$173.631
500

$1.46919

$734.595
1000

$1.24658

$1246.58

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen V
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	SIDR5802
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	7.5W (Ta), 150W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3020 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	34.2A (Ta), 153A (Tc)

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