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SIDR392DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIDR392DP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Menge:

Auf Lager : 3920 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.755

$2.755
10

$2.31515

$23.1515
100

$1.87321

$187.321
500

$1.66508

$832.54
1000

$1.42572

$1425.72

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9530 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	82A (Ta), 100A (Tc)

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