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SIDR220DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIDR220DP-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK

Menge:

Auf Lager : 2975 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.5555

$2.5555
10

$2.1261

$21.261
100

$1.69233

$169.233
500

$1.43197

$715.985
1000

$1.21501

$1215.01

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+16V, -12V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Base Product Number	SIDR220
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1085 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	87.7A (Ta), 100A (Tc)

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