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SIDC11D60SIC3

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

SIDC11D60SIC3

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

Sawn on foil

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 600V 4A WAFER

Menge:

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Name des Kontakts

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Bulk
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	Die
Product Status	Discontinued at Digi-Key
Base Product Number	SIDC11
Capacitance @ Vr, F	150pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	Sawn on foil
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	200 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Current - Average Rectified (Io)	4A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.9 V @ 4 A

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