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SIDC09D60E6X1SA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

SIDC09D60E6X1SA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

Sawn on foil

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GP 600V 20A WAFER

Menge:

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Name des Kontakts

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Series	-
Package	Bulk
Technology	Standard
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	Die
Product Status	Obsolete
Base Product Number	SIDC09D60
Capacitance @ Vr, F	-
Supplier Device Package	Sawn on foil
Reverse Recovery Time (trr)	150 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	27 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Current - Average Rectified (Io)	20A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 20 A

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