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SIA456DJ-T3-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIA456DJ-T3-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SC-70-6

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Base Product Number	SIA456
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A (Ta), 2.6A (Tc)

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