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SI8900EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI8900EDB-T2-E1

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

10-Micro Foot™ CSP (2x5)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Menge:

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Menge

Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	1W
Configuration	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	10-UFBGA, CSPBGA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1.1mA
Base Product Number	SI8900
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.4A

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