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SI8851EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI8851EDB-T2-E1

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

Power Micro Foot® (2.4x2)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±8V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	30-XFBGA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Base Product Number	SI8851
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	660mW (Ta)
Supplier Device Package	Power Micro Foot® (2.4x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.7A (Ta)

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