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SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI5902BDC-T1-E3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

1206-8 ChipFET™

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Menge:

Auf Lager : 2710 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.2065

$1.2065
10

$1.0754

$10.754
100

$0.83856

$83.856
500

$0.69275

$346.375
1000

$0.54691

$546.91

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	3.12W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Base Product Number	SI5902
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)

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