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SI5475BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI5475BDC-T1-E3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

1206-8 ChipFET™

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±8V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Base Product Number	SI5475
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)

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