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SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4922BDY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Menge:

Auf Lager : 2508 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.501

$1.501
10

$1.34805

$13.4805
100

$1.08319

$108.319
500

$0.88994

$444.97
1000

$0.73737

$737.37

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	3.1W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Base Product Number	SI4922
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2070pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A

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