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SI4900DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4900DY-T1-E3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Menge:

Auf Lager : 8708 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.14

$1.14
10

$1.01935

$10.1935
100

$0.79448

$79.448
500

$0.65629

$328.145
1000

$0.51813

$518.13

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	3.1W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Base Product Number	SI4900
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.3A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	665pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.3A

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