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SI4890DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4890DY-T1-E3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Menge:

Auf Lager : 2500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

2500

$1.21233

$3030.825
5000

$1.16675

$5833.75

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±25V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA (Min)
Base Product Number	SI4890
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta)

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