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SI4850BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4850BDY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SO

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO

Menge:

Auf Lager : 8970 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.893

$0.893
10

$0.73435

$7.3435
100

$0.57123

$57.123
500

$0.48419

$242.095
1000

$0.39443

$394.43

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Base Product Number	SI4850
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Supplier Device Package	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	790 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.4A (Ta), 11.3A (Tc)

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