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SI4800BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4800BDY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

Menge:

Auf Lager : 80 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.836

$0.836
10

$0.73815

$7.3815
100

$0.56582

$56.582
500

$0.44731

$223.655
1000

$0.35785

$357.85

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±25V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Base Product Number	SI4800
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.5A (Ta)

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