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SI4776DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4776DY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	SkyFET®, TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Base Product Number	SI4776
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	4.1W (Tc)
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	521 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.9A (Tc)

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