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SI4686DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SI4686DY-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO

Menge:

Auf Lager : 3299 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.425

$1.425
10

$1.27395

$12.7395
100

$0.99313

$99.313
500

$0.82038

$410.19
1000

$0.64766

$647.66

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®, WFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Base Product Number	SI4686
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 5.2W (Tc)
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1220 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18.2A (Tc)

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